آخرین مقالات

اندازه گیری فشار به LVDT

محتوای مقاله
اندازه گیری فشار به LVDT

این نوع اندازه گیری فشار مبتنی بر حرکت یک هسته با نفوذ پذیری مغناطیسی بالا داخل سیم پیچ های ترانسفورمر است. حرکت هسته مغناطیسی ناشی از حرکت سیال فرایند میباشد که توسط یک دیافراگم لوله بردون یا بیلوز به هسته انتقال میابد.

سه سیم پیچ روی سک لوله عای بندی شده سوار شده اند که شامل هسته اهنی با نفوذ پذیری مغناطیسی بالا می باشد. سیم پیچ اولیه بین دو سیم پیچ ثانویه قرار دارد و توشط یک جریان دیگر تغذیه میشود.

زمانیکه هسته مغناطیس وسط قرار دارد ولتاژ یکسانی روی سیم پیچ های ثانویه القا میشود.

اگر هسته از موقعیت مرکزی اش در اثر تغییر فشار جا ب جا شود ولتاژ حاصل روی سیم پیچهای ثانویه متفاوت خواهد بود. سیم پیچ های ثانویه معمولا به صورت سری بسته میشوند.

معایب

*حساس به لرزش

*فرسایش مکانیکی.

این روش یک روش قدیمی است که قبل از حضور کشش سنج ها مورد استفاده قرار نیگرفت و درحال حاضر کمتر به کار گرفته میشود.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

آخرین مقالات ای شاپ صنعت